台灣突破高數值孔徑EUV光阻分析技術　助攻先進晶片製程

【台北，10月27日】 台灣國家實驗研究院國家儀器科技研究中心與汎銓科技合作，突破高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）微影製程後的光阻材料分析技術瓶頸，為先進半導體製程的奈米結構檢測提供新的技術支援。

根據中央社報導，這項合作聚焦於高數值孔徑EUV微影製程所使用的金屬氧化物光阻劑（MOR）。隨著晶片電路持續微縮，製程完成後如何確認奈米結構的尺寸、形貌及材料變化，已成為先進晶片製造的重要挑戰。

EUV微影技術利用極短波長光線，在晶圓上形成精細電路圖案。高數值孔徑EUV則進一步提升成像能力，目標是支援更細微的電路結構。金屬氧化物光阻劑是相關技術發展的重要材料之一，與高數值孔徑EUV結合，有助於製作更精細的電路圖案。

國研院表示，研究團隊透過鍍膜技術強化晶圓上的奈米結構，使後續檢測與分析更容易進行。相關技術可用於觀察微影曝光後的晶圓結構及化學變化，協助研究人員判斷製程結果是否符合預期。

國研院院長蔡宏營指出，先進微影製程的挑戰不僅在於將電路圖案製作出來，也包括在製程完成後準確確認結果。當半導體製程逐步邁向更小線寬，檢測技術必須同步提升，才能協助製造商掌握製程品質。

國研院表示，這項成果也協助汎銓科技進入全球大型半導體設備商與製造商的製程供應鏈。對台灣半導體產業而言，除了晶圓製造本身，材料分析、量測設備及製程驗證等周邊技術，也在先進製程競爭中扮演重要角色。

不過，技術突破並不等同於已在所有量產線全面導入。未來仍須依客戶需求、檢測精度、製程相容性及量產驗證進度，評估實際商業化規模。

隨著全球晶片製造商持續投資先進製程，能夠精準分析微影後材料及奈米結構的技術，將是提升製程控制能力與良率的重要環節。