三星傳採用台積電 3 奈米技術 合作打造輝達下一代 AI 記憶體
消息指三星可能首次在HBM製造環節導入台積電製程，但合作細節與量產時程仍待三方正式確認。
韓國三星電子（Samsung Electronics）傳出將採用台積電（TSMC）的 3 奈米製程，為輝達（Nvidia）下一代客製化高頻寬記憶體（HBM）生產基礎晶粒。若相關計畫落實，將是三星首次在 HBM 製造環節採用台積電製程技術，也凸顯 AI 晶片供應鏈中跨企業合作的重要性。
根據路透社 10 月 18 日報導，韓國《首爾經濟日報》引述產業消息人士指出，三星將使用台積電 3 奈米技術，製造輝達下一代客製化 HBM 晶片的基礎晶粒。路透社報導目前是轉述韓媒消息，相關安排仍應以三星、台積電及輝達正式公告為準。
報導指出，輝達已要求三星、SK 海力士（SK Hynix）及美光科技（Micron Technology）等記憶體供應商，在新一代客製化 HBM 產品中採用指定的基礎晶粒製程與第六代 DRAM 技術。輝達於今年 8 月公布相關 NVHBM 設計，目標是將客製化記憶體控制器整合至基礎晶粒，讓不同記憶體供應商的產品更容易與輝達平台整合。
高頻寬記憶體是 AI 加速器的重要組成部分，能在處理大型模型及高強度運算時，提供大量資料傳輸能力。隨著生成式 AI、資料中心及大型運算系統快速發展，記憶體頻寬、功耗與封裝整合能力，已成為 AI 硬體競爭的關鍵因素。
對台灣半導體產業而言，這項消息再次凸顯台積電先進製程在全球 AI 供應鏈中的地位。若三星確實採用台積電技術，代表競爭對手也可能在特定產品環節依賴台積電的製造能力，產業競爭與合作將不再完全以企業之間的直接對抗來理解。
不過，這並不代表三星將全面把 HBM 生產交由台積電負責。路透社引述的報導指出，三星仍計畫維持標準 HBM 及其他客戶客製化產品的自有生產模式，並評估在需求超出供應能力時，是否可由自家晶圓代工部門生產相關基礎晶粒。
接下來，市場將關注三星、台積電與輝達是否進一步確認合作細節，以及相關製程的量產時程、產能分配與產品導入進度。對台灣而言，先進製程與 AI 晶片供應鏈的合作機會，仍是觀察半導體產業競爭力的重要指標。