US-TECHNOLOGY-ENGINEERING-RESEARCH-SEMICONDUCTOR
台灣與波蘭規劃合作開發功率氮化鎵(GaN)晶片技術,結合雙方研究與半導體產業資源,拓展電動車、能源及高功率電子應用市場。圖片為半導體晶片或研究設施示意,並非合作計畫的實際成果。 ETIENNE LAURENT / AFP via Getty Images

台灣、波蘭合作開發氮化鎵晶片 拓展電動車與能源市場

台灣與波蘭將推動功率氮化鎵(GaN)半導體技術合作,結合台灣的半導體製造與封裝測試經驗,以及波蘭的研究能力,拓展電動車、能源及其他高功率電子應用市場,為台灣半導體產業深化歐洲合作開闢新方向。

根據台灣外交部公布的消息,外交部長林佳龍訪問波蘭期間,參訪當地微電子與光電研究機構,並宣布台灣將與波蘭建立功率氮化鎵晶片技術合作計畫。雙方代表處預計近期簽署合作備忘錄,後續工作將由台灣工業技術研究院與波蘭相關研究機構共同執行。

氮化鎵屬於第三代半導體材料,具有高功率密度、高效率及適用於高頻操作等特性,可應用於電動車電力轉換、充電設備、能源系統及其他電力電子裝置。隨著電動車與能源轉型持續發展,功率半導體在提升能源使用效率方面的重要性也日益受到重視。

台灣外交部表示,這項合作將結合雙方研究能量與產業資源,形成技術研發、海外應用與製造需求相互連結的合作模式。台灣可望運用既有的半導體製造、封裝及測試能力,波蘭則可參與技術研究及應用開發,進一步創造跨國產業合作機會。

這項計畫也是台灣拓展歐洲半導體合作的重要一步。在全球供應鏈重新布局、各國積極強化關鍵科技自主能力的背景下,台灣除了持續發展先進晶片製程,也可透過功率半導體等技術領域,拓展與歐洲研究機構及產業界的合作。

不過,合作計畫仍須依後續備忘錄簽署、研發安排及產業需求逐步推進。實際技術成果、商業化時程及市場規模,仍有待雙方進一步公布。