台積電傳評估進軍3D DRAM　傳應輝達要求布局AI記憶體

台灣半導體龍頭台積電傳出評估跨足先進記憶體市場，可能投入3D DRAM技術研發與製造，以擴大在人工智慧（AI）硬體供應鏈的布局。若相關計畫成形，將使台積電的業務範圍從晶圓代工及先進封裝，進一步延伸至高階記憶體領域。

根據路透社11月6日報導，科技媒體《The Information》引述兩名知情人士指出，台積電近期已開始規劃生產一種稱為3D DRAM的先進記憶體，據稱是應最大客戶輝達（Nvidia）的要求而展開評估。

報導指出，台積電可能選擇興建新的記憶體工廠，也可能收購既有廠房並改建為DRAM生產設施，但目前尚不清楚相關計畫的投產時間表。

DRAM是動態隨機存取記憶體，主要用於暫時儲存電子設備運作所需資料。3D DRAM則透過垂直堆疊記憶體單元，提升儲存密度及容量，被視為未來高效能運算與AI系統可能採用的重要技術方向。

近年AI模型與資料中心需求快速增加，帶動高頻寬記憶體及其他高階記憶體需求，全球記憶體供應緊張，也促使晶片設計公司尋找更多供應來源。

若台積電正式進入先進記憶體市場，未來可能與三星電子、SK海力士及美光等既有記憶體業者競爭。不過，路透社指出，台積電與輝達當時並未立即回應置評請求，因此目前仍屬媒體披露的評估計畫，並非公司正式宣布的投資決策。